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Fabricante: Kingston

MEMORIA 8GB 2666MHZ DDR4 NON-ECC CL19 NOTEBOOK - KVR26S19S8/8 I

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MEMORIA 8GB 2666MHZ DDR4 NON-ECC CL19 NOTEBOOK - KVR26S19S8/8 I
SKU: KVR26S19S8/8 I
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KVR26S19S8 / 8
8GB 1Rx8 1G x 64 bits PC4-2666

CL19 SODIMM de 260 pinos Continuação >> CARACTERÍSTICAS Este documento descreve o KVR26S19S8 / 8 do ValueRAM é um SDRAM DDR4-2666 CL19 de 1 GB x 64 bits (8 GB) DRAM), 1Rx8, não-ECC, módulo de memória, baseado em oito 1G x Componentes FBGA de 8 bits. O SPD está programado para o JEDEC latência padrão DDR4-2666 de latência de 19-19-19 a 1.2V. este O DIMM de 260 pinos usa dedos de contato dourados. O elétrica e as especificações mecânicas são as seguintes: CL (IDD) Tempo de ciclo de linha (tRCmin) Atualizar para ativo / atualizar Tempo de Comando (tRFCmin) Tempo Ativo da Linha (tRASmin) Potência Máxima de Operação Avaliação UL Temperatura de operação Temperatura de armazenamento 19 ciclos 45,75 ns (min.) 350ns (min.) 32ns (min.) TBD W * 94 V - 0 0o C a + 85o C -55o C a + 100o C • Fonte de Alimentação: VDD = 1,2V Típico • VDDQ = 1,2 V Típico • VPP = 2.5V Típico • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V • Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, strobe e máscara • Auto-atualização de baixa potência (LPASR) • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados • Geração e calibração VREFDQ no momento • classificação única • EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2 • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada • Corrida de pico fixa (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS) • selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) • Topologia de sobrevoo • Comando de controle e barramento de endereços com terminação • PCB: Altura 1,18 ”(30,00 mm) • Compatível com RoHS e sem halogênio
KVR26S19S8 / 8
8GB 1Rx8 1G x 64 bits PC4-2666

CL19 SODIMM de 260 pinos Continuação >> CARACTERÍSTICAS Este documento descreve o KVR26S19S8 / 8 do ValueRAM é um SDRAM DDR4-2666 CL19 de 1 GB x 64 bits (8 GB) DRAM), 1Rx8, não-ECC, módulo de memória, baseado em oito 1G x Componentes FBGA de 8 bits. O SPD está programado para o JEDEC latência padrão DDR4-2666 de latência de 19-19-19 a 1.2V. este O DIMM de 260 pinos usa dedos de contato dourados. O elétrica e as especificações mecânicas são as seguintes: CL (IDD) Tempo de ciclo de linha (tRCmin) Atualizar para ativo / atualizar Tempo de Comando (tRFCmin) Tempo Ativo da Linha (tRASmin) Potência Máxima de Operação Avaliação UL Temperatura de operação Temperatura de armazenamento 19 ciclos 45,75 ns (min.) 350ns (min.) 32ns (min.) TBD W * 94 V - 0 0o C a + 85o C -55o C a + 100o C • Fonte de Alimentação: VDD = 1,2V Típico • VDDQ = 1,2 V Típico • VPP = 2.5V Típico • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V • Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, strobe e máscara • Auto-atualização de baixa potência (LPASR) • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados • Geração e calibração VREFDQ no momento • classificação única • EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2 • 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada • Corrida de pico fixa (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS) • selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) • Topologia de sobrevoo • Comando de controle e barramento de endereços com terminação • PCB: Altura 1,18 ”(30,00 mm) • Compatível com RoHS e sem halogênio