Filters
Preferencias
Pesquisar
Fabricante: Kingston

MEMORIA 4GB 2666MHZ DDR4 NON-ECC CL19  NOTEBOOK - KVR26S19S6/4 I

Para obter informações estoque e preços clique aqui
MEMORIA 4GB 2666MHZ DDR4 NON-ECC CL19 NOTEBOOK - KVR26S19S6/4 I
SKU: KVR26S19S6/4 I
*
    Disponibilidade: Para obter informações estoque e preços clique aqui
    KVR26S19S6 / 4 I
    4 GB 1Rx16 512 MB x 64 bits PC4-2666

    CL19 SODIMM de 260 pinos Continuação >> CARACTERÍSTICAS Este documento descreve o KVR26S19S6 / 4 do ValueRAM como 512 M x 64 bits (4 GB) DDR4-2666 CL19 SDRAM (Síncrono DRAM), 1Rx16, módulo de memória, baseado em quatro 512M x 16-bit Componentes FBGA. O SPD está programado para o JEDEC latência padrão DDR4-2666 de latência de 19-19-19 a 1.2V. este O SODIMM de 260 pinos usa dedos de contato dourados. O elétrica e as especificações mecânicas são as seguintes: CL (IDD) Tempo de ciclo de linha (tRCmin) Atualizar para ativo / atualizar Tempo de Comando (tRFCmin) Tempo Ativo da Linha (tRASmin) Potência Máxima de Operação Avaliação UL Temperatura de operação Temperatura de armazenamento 19 ciclos 45,75 ns (min.) 350ns (min.) 32ns (min.) TBD W * 94 V - 0 0o C a + 85o C -55o C a + 100o C • Fonte de Alimentação: VDD = 1,2V Típico • VDDQ = 1,2 V Típico • VPP = 2.5V Típico • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V • Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, strobe e máscara • Auto-atualização de baixa potência (LPASR) • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados • Geração e calibração VREFDQ no momento • classificação única • EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2 • 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada • Corrida de pico fixa (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS) • selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) • Topologia de sobrevoo • Comando de controle e barramento de endereços com terminação • PCB: Altura 1,18 ”(30,00 mm) • Compatível com RoHS e sem halogênio Documento No. VALU
    KVR26S19S6 / 4 I
    4 GB 1Rx16 512 MB x 64 bits PC4-2666

    CL19 SODIMM de 260 pinos Continuação >> CARACTERÍSTICAS Este documento descreve o KVR26S19S6 / 4 do ValueRAM como 512 M x 64 bits (4 GB) DDR4-2666 CL19 SDRAM (Síncrono DRAM), 1Rx16, módulo de memória, baseado em quatro 512M x 16-bit Componentes FBGA. O SPD está programado para o JEDEC latência padrão DDR4-2666 de latência de 19-19-19 a 1.2V. este O SODIMM de 260 pinos usa dedos de contato dourados. O elétrica e as especificações mecânicas são as seguintes: CL (IDD) Tempo de ciclo de linha (tRCmin) Atualizar para ativo / atualizar Tempo de Comando (tRFCmin) Tempo Ativo da Linha (tRASmin) Potência Máxima de Operação Avaliação UL Temperatura de operação Temperatura de armazenamento 19 ciclos 45,75 ns (min.) 350ns (min.) 32ns (min.) TBD W * 94 V - 0 0o C a + 85o C -55o C a + 100o C • Fonte de Alimentação: VDD = 1,2V Típico • VDDQ = 1,2 V Típico • VPP = 2.5V Típico • VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V • Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, strobe e máscara • Auto-atualização de baixa potência (LPASR) • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados • Geração e calibração VREFDQ no momento • classificação única • EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2 • 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada • Corrida de pico fixa (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS) • selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) • Topologia de sobrevoo • Comando de controle e barramento de endereços com terminação • PCB: Altura 1,18 ”(30,00 mm) • Compatível com RoHS e sem halogênio Documento No. VALU